Le présent travail de recherche constitue la première étape d’un projet visant l’amélioration de la réussite des étudiants en morphographie flexionnelle. Ainsi, il est question en ce premier temps d’identifier les besoins des étudiants nouvellement inscrits au département de fran\c cais en matière d’orthographe grammaticale. À cet effet, nous avons mené deux enquêtes successives à l’université 8 mai 45, Guelma (Algérie). Ce double prélèvement, se basant sur une dictée (les arbres), nous permettra de dresser le profil orthographique des étudiants et de déterminer les zones d’intervention prioritaires nécessitant une intervention urgente.

La fiabilité figure parmi les objectifs les plus importants pour les fabricants en tant qu’indicateur de performance et en plus, elle est devenue un argument commercial important dans l’impact économique du cycle de vie et un paramètre clé de la qualité et d’aide à la décision dans l’étude de la plus part des composants, produits et processus. A ce propos, l’évaluation de la fiabilité des produits en phase de conception occupe une place de choix. Dans cet ouvrage, nous avons proposé une démarche d’anticipation des risques en conception qui s’articulent principalement autour du modèle DIC « outil de gestion de la connaissance » et leurs méthodes supports « outils SDF ». Cette méthodologie permet au concepteur de comprendre la conservation d’une valeur opérationnelle dans le temps qui est cependant associée à un risque ou une probabilité de défaillance qu’il faut tenir compte dès la phase de conception du produit. A cet effet nous avons procédé à des essais accélérés afin de capitaliser des connaissances sur ces risques potentiels.

 In this study, single crystal Ge layers have been deposited by molecular beam epitaxy on PSi substrate, with different thicknesses (40 nm and 80 nm) at the growth temperature of 400°C. Raman and Atomic force microscopy (AFM) have been applied for investigation of photoluminescence, structural and morphological properties of the Ge on PSi layers. The results show a stronger Raman intensity of PSi due to change of its optical constant. Similarly the Si/Ge/PSi sample shows a peak at 399 cm-1 but with lower intensity compared with that of PSi probably due to the Si emission partially covered by the Ge inside the pores. Besides that a sharp Raman peak at 298 cm-1 is observed which reflects Raman active transverse optical mode of the introduced Ge which indicates the growth of Ge with good crystallinity. AFM characterization shows the rough silicon surface which can be regarded as a condensation point for small skeleton clusters to form, with different size of pores. These changes are highly responsible for its photoluminescence in the red wavelength range. This study explores the applicability of prepared Ge/PSi layers for its various applications in advanced optoelectronics field and silicon-on-insulator applications.